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長晶科技BAS516與BAS316高速開關(guān)二極管技術(shù)解析與應(yīng)用對比
在現(xiàn)代電子電路設(shè)計中，高速開關(guān)二極管作為實現(xiàn)信號快速切換的關(guān)鍵元件，其性能直接影響電路的可靠性與效率。長晶科技（CJ）推出的BAS516與BAS316兩款高速開關(guān)二極管，憑借優(yōu)異的開關(guān)速度和緊湊的表面貼裝封裝，廣泛應(yīng)用于各類高速切換電路。本文將從封裝特性、電氣參數(shù)、應(yīng)用場景等維度深入剖析兩者的技術(shù)差異與共性，為工程師選型提供全面參考。
封裝與物理特性：
- 封裝類型與尺寸 BAS316 采用 SOD-323 封裝，建議焊盤布局 2.15mm×0.7mm，適合高密度設(shè)計；BAS516 采用 SOD-523 封裝，焊盤布局 1.42mm×0.6mm，均支持表面貼裝與自動化焊接。
- 標記與極性識別 BAS316 標記為“A6”，BAS516 標記為 “61”，均通過標記條標識陰極，避免焊接極性錯誤。
電氣性能差異與共性：
- 反向電壓能力 BAS316 峰值重復(fù)反向電壓 85V、直流阻斷電壓 75V，擊穿電壓 100V，適用于中等電壓場景；BAS516 峰值重復(fù)反向電壓 75V，非重復(fù)峰值反向電壓 100V，更適合瞬時高壓沖擊環(huán)境。兩者 VR=75V 時反向電流均≤1μA。
- 正向?qū)ㄅc功耗特性 兩者連續(xù)正向電流均 250mA，正向?qū)妷弘S電流增大而升高，IF=150mA 時均為 1.25V。BAS316 功率耗散 250mW、熱阻 500℃/W，散熱更優(yōu)；BAS516 功率耗散 150mW、熱阻 833℃/W，適合低功耗場景。
- 高頻開關(guān)性能 反向恢復(fù)時間均 4ns，滿足 MHz 級切換需求。BAS516 總電容 1pF，優(yōu)于 BAS316 的 1.5pF，高頻信號失真更小。
| 參數(shù) | BAS316 (SOD-323) | BAS516 (SOD-523) |
| 封裝尺寸 (L×W×H) | 1.6×1.2×1.0 mm | 1.3×0.8×0.35 mm |
| 峰值反向電壓 | 85 V | 100 V |
| 額定功耗 (PD) | 250 mW | 150 mW |
| 熱阻 (RθJA) | 500 °C/W | 833 °C/W |
| 結(jié)電容 (Cj @1MHz) | 1.5 pF | 1.0 pF |
| 反向恢復(fù)時間 (tr) | 4 ns | 4 ns |
| 7英寸卷盤載帶容量 | 3000 pcs | 8000 pcs |
應(yīng)用場景適配性：
- BAS316：適用于中等功率高速開關(guān)電路，如電源切換、脈沖電路等，兼顧封裝尺寸與散熱需求。
- BAS516：低功耗、小電容特性適用于高頻通信、傳感器信號開關(guān)等場景，8000 顆 / 卷包裝適合大規(guī)模量產(chǎn)。
包裝與可靠性：
- 卷帶包裝：BAS316 為 3000 顆 / 7 英寸卷，BAS516 為 8000 顆 / 卷，載體帶均采用碳填充聚碳酸酯樹脂，抗靜電性能優(yōu)異。
- 環(huán)境適應(yīng)性：工作結(jié)溫與存儲溫度范圍 - 55℃~+150℃，滿足工業(yè)級應(yīng)用需求。
BAS316與BAS516 核心開關(guān)性能一致，功耗、電壓能力與封裝細節(jié)形成差異化定位。BAS316 適合中等功率、散熱要求高的場景；BAS516 適合高頻、低漏電精密電路。工程師可根據(jù)電壓等級、功耗預(yù)算及量產(chǎn)規(guī)模靈活選型，兩者均為高速電子系統(tǒng)提供可靠開關(guān)方案。
南山電子是長晶科技原廠授權(quán)代理商，歡迎咨詢選購長晶科技BAS516與BAS316高速開關(guān)二極管，如需產(chǎn)品詳情、選型指導(dǎo)或樣品申請，請聯(lián)系網(wǎng)站在線客服。
