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    1N4148開關二極管選型參數

    1N4148開關二極管是一種利用二極管導通與截止特性達到關斷與導通電路的目的。開關二極管是專門用于高速開關。與一般的二極管相比,開關二極管在導通與截止的速率上遠遠高于一般的整流二極管。普通的二極管在低頻率的電路中能保持正常的導通與截止的特性,但是在高頻應用中,由于電路中的頻率很高,在二極管從導通狀態還沒有完全恢復成截止狀態的時候,二極管又被再次導通了。在此高頻情況下,普通的二極管就一直處于導通狀態,不能起到開關的作用。1N4148是開關二極管的常用型號,其有多種封裝形式。這里介紹的1N4148開關二極管是DO-35玻璃封裝。
     
     
    1N4148的選型參數
    1N4148開關二極管應用廣泛,各個生產廠家出品的1N4148二極管的參數也略有不同,這里我們挑選了幾個半導體生產廠家,對他們的生產的1N4148開關二極管的參數進行橫向比較。
     
    廠家:VISHAY
    產品編碼:1N4148-TAP or 1N4148-TR
     
    廠家:NXP
    產品編碼:1N4148PH or 4148PH
     
    廠家:HY
    產品編碼:1N4148
     
    廠家:DIOTEC ELECTRONICS CORP
    產品編碼:1N4148
     
    廠家:Comchip
    產品編碼:1N4148-G
     
    反向恢復時間
    反向恢復時間是衡量開關二極管性能的重要參數。開關二極管的開關時間由兩部分組成,即從截至到導通的時間叫開通時間,從導通變為截至的時間叫反向恢復時間。這兩部分時間共同組成了開關二極管的開關時間。為什么不以開關時間作為衡量參數,而是以反向恢復時間作為衡量參數?因為開關二極管的反向恢復時間遠大于其開通時間。開通時間可以忽略不計。
    1 VISHAY
    測量條件:IF=10mA,VR=6V,RL=100Ω,iR=1mA
    反向恢復時間:4ns
     
    2 NXP
    測量條件:IF=10mA,VR=6V,RL=100Ω,iR=1mA
    反向恢復時間:4ns
     
    3 HY
    測量條件:IF=10mA,VR=6V,RL=100Ω,iR=1mA
    反向恢復時間:4ns
    4 DIOTEC ELECTRONICS CORP
    測量條件:IF=10mA,VR=6V,RL=100Ω,iR=1mA
    反向恢復時間:4ns
     
    5 Comchip
    測量條件:IF=10mA,VR=6V,RL=100Ω,iR=1mA
    反向恢復時間:4ns
     
    反向擊穿電壓
    當開關二極管的反向電壓達到其所能承受的極限時,開關二極管將失去反向截止能力,這樣的反向電壓叫做反向擊穿電壓。
    1 VISHAY
    測量條件:IR=100uA,tp/T=0.01,TP=0.3ms
    反向擊穿電壓:100V
     
    2 NXP
    規格書無標注
     
    3 HY
    規格書無標注
     
    4 DIOTEC ELECTRONICS CORP
    測量條件:IR=100uA,tp/T=0.01,TP=0.3ms
    反向擊穿電壓:100V
     
    5 Comchip
    規格書無標注
     
    最高反向工作電壓
    最高反向工作電壓是開關二極管正常工作的最大反向電壓,超過該電壓時,二極管隨時會被擊穿。
    1 VISHAY
    最高反向工作電壓:100V
     
    2 NXP
    最高反向工作電壓:100V
     
    3 HY
    最高反向工作電壓:100V
     
    4 DIOTEC ELECTRONICS CORP
    最高反向工作電壓:75V
     
    5 Comchip
    最高反向工作電壓:100V
     
    正向持續電流
    正向持續電流是開關二極管連續工作時,其在規定的外部環境中,所能允許的脈沖半波電流的平均值。
    1 VISHAY
    正向持續電流:300mA
     
    2 NXP
    正向持續電流:200mA
     
    3 HY
    正向持續電流:150mA
     
    4 DIOTEC ELECTRONICS CORP
    正向持續電流:150mA
     
    5 Comchip
    正向持續電流:150mA
     
    電容
    PN結之間存在電容屬性。當在低頻時PN結的特性可以完成正常的開關動作,當交流電頻率較高時,由于PN結電容的作用將使PN結失去單向導電能力。
    1 VISHAY
    條件:VR=0V,f=1MHz,VHF=50mV
    電容:4pF
     
    2 NXP
    條件:VR=0V,f=1MHz,VHF=50mV
    電容:4pF
     
    3 HY
    條件:VR=0V,f=1MHz,VHF=50mV
    電容:4pF
     
    4 DIOTEC ELECTRONICS CORP
    條件:VR=0V,f=1MHz,VHF=50mV
    電容:4pF
     
    5 Comchip
    規格書無標注
     
    綜合性能示意圖
    根據上述統計的性能數據,將結果用雷達圖的形式展現出來,該圖表只是一個示意圖,并不絕對,僅作參考。圖中覆蓋的區域面積越大則表示更好。

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