近日，廣島大學(xué)開發(fā)的晶體管模型“HiSIM_SOI”已成為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。

　　HiSIM_SOI是SOI基板上的晶體管的模型，已于2012年7下旬被電路模擬用晶體管模型（即集約模型）國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)“CMC：Compact Modeling Council”接納為SOI晶體管的CMC標(biāo)準(zhǔn)。
 
　　HiSIM_SOI的基礎(chǔ)是Bulk基板MOS晶體管模型“HiSIM2：Hiroshima- university STARC IGFET Model 2”。這是廣島大學(xué)在日本半導(dǎo)體理工學(xué)研究中心（STARC）的協(xié)助下開發(fā)的，已于2011年4月被選為CMC標(biāo)準(zhǔn)。將HiSIM2擴(kuò)展到高耐壓晶體管的“HiSIM_HV”（最初名稱為“HiSIM LDMOS”）于2007年12月被選為CMC標(biāo)準(zhǔn)。此次，HiSIM_SOI又被選為CMC標(biāo)準(zhǔn)，這樣日本共有三個(gè)HiSIM模型成為國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)。
 
　　據(jù)出席會(huì)議的獨(dú)立行政法人日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所（產(chǎn)綜研）介紹，獲得三個(gè)CMC標(biāo)準(zhǔn)的全球只有美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校（UCB）和廣島大學(xué)兩所學(xué)校。不過，據(jù)產(chǎn)綜研介紹，在UCB的三個(gè)CMC標(biāo)準(zhǔn)中，BSIM（Bulk MOS晶體管）和BSIM-SOI都是老一代晶體管模型（即閾值電壓模型），而廣島大學(xué)的HiSIM模型都是克服了閾值電壓模型弱點(diǎn)的表面電位模型，從發(fā)展前景來看，可以說廣島大學(xué)的三個(gè)CMC標(biāo)準(zhǔn)模型比UCB的三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)模型更勝一籌。
 

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